실리콘 소재를 위한 원스톱 솔루션 제공
실리콘 배기 링은 반도체 건식 에칭 장비의 핵심 부품으로, 에칭 가스를 반응실로 유입 및 분배하는 주요 경로 역할을 합니다. 뛰어난 내식성과 열적 안정성을 갖춘 고순도 실리콘으로 설계되어, 웨이퍼 에칭 공정 중 균일한 가스 흐름과 정밀한 제어를 보장합니다. 진공 밀폐성을 유지하고 가스 동역학을 조절함으로써, 실리콘 배기 링은 에칭 균일성과 공정 효율에 직접적인 영향을 미치며, 웨이퍼에 고정밀 패턴을 구현하기 위한 첨단 반도체 제조 과정에서 없어서는 안 될 필수 부품입니다.
기술 사양
| 아니요. | 특징 | 단위 | 사양 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순수함 | % | ＞6N |
| 2 | 재료 | / | 모노 / 폴리 |
| 3 | 직경 눈금 | 음 | 0~600 / 사용자 지정 가능 |
| 4 | 유형/포함 사항 | / | P형/ N형 |
| 5 | 저항률 | Ω·cm³ | <0.02 / 1~4 / 60~90 |
| 6 | 결정 방향 | / | (100), (111), (110) |
| 7 | 도판트 | / | B, P, Ga, As, Sb |
| 8 | 표면 처리 | / | 연마 |
기술적 장점
High-Purity Silicon Material：Engineered with ultra-high-purity silicon for superior corrosion resistance and extended lifespan in aggressive plasma environments.
Precision Gas Flow Control：Optimized design ensures uniform gas distribution, enhancing etch uniformity and reducing wafer defects.
Exceptional Thermal Stability：Withstands extreme temperatures (up to 600°C) without deformation, ensuring reliability in high-power dry etch processes.
Vacuum Integrity Assurance：Advanced sealing technology maintains ultra-high vacuum (UHV) conditions, critical for consistent plasma etching performance.
Compatibility with Advanced Nodes：Supports sub-7nm semiconductor manufacturing, enabling high-precision pattern transfer for next-gen logic and memory devices.
Low Maintenance & High Durability：Robust construction minimizes particle generation and downtime, reducing total cost of ownership (TCO).
Industry-Standard Compliance：Meets SEMI and ISO cleanroom standards, ensuring seamless integration into global semiconductor production lines.