실리콘 소재를 위한 원스톱 솔루션 제공

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반도체 가스 분배 링
실리콘 링은 반도체 건식 식각 시스템의 핵심 부품으로, 식각 공정 중 웨이퍼를 정밀하게 취급하고 플라즈마를 효과적으로 가두도록 설계되었습니다. 고순도 실리콘(≥99.99999%)으로 제작된 이 링은 뛰어난 열적 안정성, 내화학성 및 치수 정밀도를 제공합니다. 또한 챔버의 무결성을 유지하고, 웨이퍼 가장자리가 손상되는 것을 방지하며, 플라즈마 기반 공정에서 식각 균일성을 최적화하는 데 중추적인 역할을 합니다.
 
당사의 실리콘 링은 건식 에칭 및 플라즈마 에칭 용도로 설계되었으며, 로직 IC, 메모리 및 파워 반도체 제조 과정에서 8인치 및 12인치 웨이퍼를 지원합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다:
  • 정밀 가공: 매끄러운 표면(Ra ≤ 0.1μm)과 엄격한 공차(±10μm)를 통해 완벽한 통합을 실현합니다.
  • 소재 혁신: CVD SiC 코팅은 가혹한 에칭 환경에서 내구성을 향상시킵니다.
  • 규정 준수: 반도체 장비에 대한 국제 표준(예: GB/T 41652-2022) 및 SEMI 사양을 충족합니다.
에칭 장비 제조업체 및 팹에 이상적인 당사의 실리콘 링은 첨단 반도체 생산 과정에서 안정적인 성능을 보장하고, 가동 중단 시간을 줄이며, 수율을 향상시킵니다.

기술 사양

아니요.특징단위사양
1순수함%>6N
2재료/모노 / 폴리
3직경 눈금0~600 / 사용자 지정 가능
4유형/포함 사항/P형/ N형
5저항률Ω·cm³<0.02 / 1~4 / 60~90
6결정 방향/(100), (111), (110)
7도판트/B, P, Ga, As, Sb
8표면 처리/연마
초고온용 실리콘 링

기술적 장점

  1. 초고순도 실리콘 소재:순도 99.9999%의 실리콘으로 제조되어 오염을 최소화하며, 민감한 반도체 공정에 적합합니다.

  2. 플라즈마 에칭 조건 확립: 실리콘 링은 최적의 플라즈마 에칭 조건을 확립하기 위해 설계되었습니다. 이를 통해 정밀하고 효율적인 에칭 공정이 보장되므로, 실리콘 링은 첨단 반도체 제조 과정에서 필수적인 실리콘 부품으로 자리매김하고 있습니다.

  3. 정밀 가스 유량 최적화:첨단 형상 설계를 통해 균일한 가스 분배를 실현함으로써, 웨이퍼 전체에 걸쳐 에칭 속도 편차를 ±2% 미만으로 줄입니다.

  4. RF 장치의 전극으로 사용: Jingge의 실리콘 링은 RF 장치의 전극으로 사용할 수 있습니다. 이러한 다용도성 덕분에 다양한 고주파 응용 분야에서 기능성이 향상되며, 신뢰할 수 있는 성능과 안정성을 제공합니다.

  5. 측벽 손상을 억제하고 에칭 종횡비를 개선: 실리콘 링은 반응성 물질로 인한 측벽 손상을 효과적으로 억제합니다. 이를 통해 에칭 종횡비를 개선하고 에칭 표면을 최적화하여, 에칭 공정에서 더 높은 정밀도와 우수한 품질의 결과를 얻을 수 있습니다.

  6. 실리콘 웨이퍼 가장자리의 균일성 및 수율 향상: 이 실리콘 링은 실리콘 웨이퍼 가장자리의 균일성과 수율을 현저히 향상시킵니다. 이러한 개선을 통해 반도체 제조 공정 전반의 효율성과 생산성이 높아집니다.