실리콘 소재를 위한 원스톱 솔루션 제공
기술 사양
| 아니요. | 특징 | 단위 | 사양 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순수함 | % | ＞6N |
| 2 | 재료 | / | 모노 / 폴리 |
| 3 | 직경 눈금 | 음 | 0~800 / 사용자 지정 가능 |
| 4 | 유형/포함 사항 | / | P형/ N형 |
| 5 | 저항률 | Ω·cm³ | <0.02 / 1~4 / 60~90 |
| 6 | 결정 방향 | / | (100), (111), (110) |
| 7 | 도판트 | / | B, P, Ga, As, Sb |
| 8 | 표면 처리 | / | 연마 |
기술적 장점
초고순도 소재 (99.99999%)：EUV 리소그래피 및 원자층 증착(ALD)과 같은 민감한 공정에서 웨이퍼 표면 결함을 방지하기 위해 오염 물질이 전혀 없는 실리콘을 사용하여 제작되었습니다.
플라즈마 및 내화학성:부식성이 강한 환경(예: Cl₂, O₂ 플라즈마)과 산성/알칼리성 세정제에 견디며, 10,000회 이상의 공정 사이클에 걸쳐 장기적인 내구성을 보장합니다.
정밀 웨이퍼 정렬 기술:레이저로 새겨진 미세 홈을 통해 10μm 미만의 위치 정밀도를 보장하며, 이는 고처리량 자동화 핸들링 시스템에 필수적입니다.
열충격 내성:극한 온도 범위(-196°C ~ 800°C)에서 안정적인 성능을 발휘하며, 급속 열처리(RTP) 및 극저온 응용 분야에 이상적입니다.
Low Particle Generation (<0.1 particles/cm²)：Mirror-polished surfaces (Ra <0.5nm) minimize micro-abrasion and contamination, boosting wafer yield to >99.95%.
경량 및 고강도 설계:단결정 실리콘 구조는 공구에 의한 웨이퍼 응력을 줄여주면서도 석영 대체재보다 3배 더 높은 강성을 유지합니다.